以TMD材料取代矽﹐推進下一代更小﹑更有效率半導體晶片

jiunn36

　　　　　
　　根據摩爾定律﹐積體電路可容納的電晶體數目約每2年便增加1倍﹐但這條定律即將走到盡頭。隨著矽晶片越做越小﹐進入2奈米製程後功能﹑尺寸便幾乎達到物理極限﹐因此研究人員正在開發更小﹑更薄﹑更有效率的下一代晶片以過渡金屬二硫屬化物(TMD)替代矽材料。
　　當前所有電子設備都使用以矽製成的晶片﹐半導體產業也藉由不斷縮小電晶體尺度來提升元件效能﹐然而日益縮小的元件終將面臨製程技術與物理瓶頸﹐科學家只好開始尋找替代三維矽的下一任半導體支柱。其中﹐僅原子層厚度的二維層狀半導體材料近年備受矚目﹐比如過渡金屬二硫族化物(transition metal dichalcogenides﹐TMD)﹐許多公司已在二維材料晶片投入大量資金﹔最近﹐普林斯頓電漿物理實驗室(PPPL)物理學研究團隊也在《2D Materials》期刊發表新論文﹐詳細介紹TMD原子結構可能發生的變化﹑發生原因及它們如何影響材料。這些資訊為改進下一代電腦晶片所需流程奠定基礎。
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jason222333

可以用奈米碳管做半導體嗎 會不會更好呢